反之，若结晶变慢，直径变细，则通过降低拉速和降温去控制拉晶开始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以消除结晶位错，这个过程叫做引晶然后放大单晶体直径至工艺要求，进入等径阶段，直至大部分硅融液都结晶成单晶；此法为最常用方法，是从结晶物质的熔体中生长晶体适用于光学半导体，激光技术上需要的单晶材料一晶体生长的必要条...