(碳化硅单晶生长炉应用领域)

随手指向其中一扇门，背后可能就是上千度的晶体生长炉 在这里，一种名为锗酸铋BGO的晶体正静静成型 闪烁晶体被广泛用于医学或工业探测领域，锗酸铋堪称其中的佼佼者现在，它还成为空间暗物质探测器的关键材料之一 2018年12月。

一种降低大尺寸碳化硅单晶开裂的方法是改进退火工艺，减小了晶体中的应力根据查询中国科学院得知，通过多次迭代，逐步扩大SiC晶体的尺寸通过改进退火工艺，减小了晶体中的应力从而抑制了晶体开裂2021年10月在自研的衬底上。

碳化硅一般是工业用，比喻炼钢厂等，而单晶硅用于半导体太阳能发电等。

碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片碳化硅外延晶片使用领域行业外延晶片主要用于各种分立器件的制作，比如SBDMOSFETJFETBJTSIT和MESFET等，这些器件广泛应用于各个领域，如白色家电混合及纯电动汽车。

用做增强材料时，常与碳纤维或玻璃纤维合用，以增强金属如铝和陶瓷为主，如做成喷气式飞机的刹车片发动机叶片着陆齿轮箱和机身结构材料等，还可用做体育用品，其短切纤维则可用做高温炉材等制造过程碳化硅长丝的。

用壳熔法生产合成立方氧化锆晶体时，每炉装炉料量只有40%～55%的成品率，有约50%的炉料和晶块料要回炉利用，因此回炉料的使用问题是壳熔法配料工艺的关键问题之一在合成立方氧化锆的熔制和生长过程中，存在稳定剂Y2O3的挥发问题，在生长。

所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底表24对五种。

在晶体生长领域，公司具有直拉法区熔法单晶生长技术，对晶体生长有着深入的理解与沉淀公司生产的单晶炉打破了海外企业垄断的市场格局，在光伏单晶炉领域保持市占率第一，具有较强的产品竞争力，公司将于2023 年推出基于。