(单晶位错密度怎么检测)

除了三种缺陷外，晶体中还存在很多其他缺陷，如在对无位错单晶研究中发现晶体中存在微缺陷，在制作无位错硅单晶中发现了密度很大且线度很小的缺陷群 最常见的点缺陷是“晶格空位”和“间隙原子”当晶格中的某些原子由于。

在特定温度区域 内采用软籽晶轴提升旋转机构，对原籽晶进行匀速 旋转提升，于此同时坩埚随着单晶的生长匀速旋转提升，实现生长成无位错单晶硅棒单晶炉炉内温度和干泵开度有关系，单晶炉内温度的高低取决于干泵的开度。

单晶矽片取自于等径部分 6尾部生长在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开这一过程称之为尾部。

1988年转向研究高温超导体YBCO中的氧扩散机制，求得了精确的氧扩散率和扩散激活能，在磁控溅射c取向薄膜中，发现膜的增氧速度，端赖于垂直c－轴单晶的位错管道所提供的快速氧输运过程1980当选为中国科学院院士学部委员。

简单区别单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列单晶是有序排列多晶是无序排列主要是有它们的加工工艺决定的多晶多采用浇注法生产，就是直接把硅料倒入埚中融化定型而单晶是采取西门子法改良直拉，直拉过程就是一个原子结。

准备是硅的顺序为二氧化硅矿石 工业硅 多晶硅 单晶硅单晶硅是由通过晶体炉使用多晶硅的抽取，但也可用于制备单晶硅区熔化但是FZ单晶的位错密度大这么多的原料拉制单晶硅半导体器件注意的是，由多晶硅制成。