1、这种方法虽然生长的晶体不会受坩埚的污染，但是，该方法仅适用于熔体表面张力系数大的晶体生长2直拉法CZ直拉法又称“恰克拉斯基法”Czochralski法，简称CZ法是生长单晶硅的主要方法该法是在直拉法CZ单晶。2、水热法是以水为溶剂，通过加入其他助溶剂提高溶解度，进行溶液法晶体生长的方法痛如矿化剂溶解高熔点氧化...