(单晶生长方法是什么)

1、这种方法虽然生长的晶体不会受坩埚的污染，但是，该方法仅适用于熔体表面张力系数大的晶体生长2直拉法CZ直拉法又称“恰克拉斯基法”Czochralski法，简称CZ法是生长单晶硅的主要方法该法是在直拉法CZ单晶。

2、水热法是以水为溶剂，通过加入其他助溶剂提高溶解度，进行溶液法晶体生长的方法痛如矿化剂溶解高熔点氧化物，高温高压条件提高溶解度，控制生长通过强对流实现晶体生长过程过饱和溶液在生长区内冷凝，并贡献出其中的溶质；凝结核周围有同类原子存在，晶体自然会生长 需要同类物质高于化合态存在的温度凝结最低压强。

3、此法为最常用方法，是从结晶物质的熔体中生长晶体适用于光学半导体，激光技术上需要的单晶材料一晶体生长的必要条件根据晶体生长时体系中存在的由熔体m向晶体C自发转变时两相间自由焓的关系Gm；这里我先否定下楼上，呵呵我记得高中时候就有一个课外实验，硫酸铜晶体长大培养实验吧，这就是一种无机盐的单晶制备方法下面我讲一讲现在科技发展当中的单晶制备，因为无机盐的单晶制备容易，所以被作为功能材料广泛应用在。

4、目前商用半导体单晶硅主要以真空电解和真空精炼来拉出晶圆柱，再反覆精炼，使晶柱累积成长。

5、在界面上结晶生长的硅在非熔融区域中逐渐凝固，形成单晶硅 根据需要，可以重复区熔过程多次，以提高单晶硅的纯度和质量 最后，对获得的单晶硅进行切割抛光等加工工艺，得到电子级单晶硅片这些方法需要高纯度的硅。